MDpicts pro 原位變溫缺陷能級表征系統(tǒng)

用于科研及生產應用的MDpicts pro（原位變溫缺陷能級表征系統(tǒng)）。使用非接觸式光電導率衰減法、深能級瞬態(tài)譜(DLTS)技術，尤其針對溫度依賴的載流子壽命測量系統(tǒng)（面掃和單點）。MDPicts pro測試系統(tǒng)的優(yōu)點是非接觸式，是一種對待測樣品無損傷和非破壞式的檢測手段，采用微波諧振微波腔來接收信號。由缺陷捕獲載流子的再發(fā)射引起的光電導率的變化可以通過微波吸收來檢測。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導體。

MDpicts pro 原位變溫缺陷能級表征系統(tǒng)材料： 

MDpicts pro 能夠對幾乎所有半導體進行電學表征 

碲鎘汞｜碳化硅 | 化合物半導體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重點優(yōu)勢： 

1）從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測試

2）實現(xiàn)材料缺陷的根本原因分析：無損、靈活且精確

3）空間分辨率高

4）同時具備瞬態(tài)μPCD和穩(wěn)態(tài)MDP測量

5）原位新型低溫恒溫測試系統(tǒng)，

6）半導體材料中的缺陷分布

7）半導體材料光電導率測試

8）深能級缺陷的激發(fā)活能

9）深能級缺陷的俘獲截面

10）深能級缺陷測試 

技術規(guī)格：  

應用案例：

光束誘導電流（LBIC） 

該過程基于對太陽能電池中局部電流（Isc）的測量，該電流通過激光誘導的方式產生 

微波探測光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS） 

為研究半導體中的缺陷，溫度依賴型方法（類似深能級瞬態(tài)譜（DLTS））已被廣泛應用。 

磷化銦（InP）中缺陷能級的研究 

微波探測光致電流瞬態(tài)譜（MD-PICTS）是研究磷化銦（InP）中缺陷能級的理想方法。例如，對磷化銦的研究表明，退火過程中材料的缺陷含量會發(fā)生變化……